GB/T 6616-2009半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
發布時間： 2023-08-23 13:19:13 點擊： 735
GB/T 6616-2009半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
規定了使用非接觸渦流法測試半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻的方法。該標準適用于半導體器件和材料中硅片和硅薄膜的電阻率測試。
根據標準，測試系統應包括測試裝置、探頭、信號發生器、測量儀器和試樣臺等部分。測試時，將硅片或硅薄膜放在試樣臺上，將探頭放置在試樣上方，并調整探頭與試樣的距離。然后，通過信號發生器向探頭發送激勵信號，探頭產生渦流磁場，該磁場在試樣上產生感應電流。同時，測量儀器測量試樣的電阻值。
該方法的優點是不需要接觸試樣表面，不會對試樣造成損*傷，測試速度較快，適合于自動化測試。但需要注意的是，測試結果受到探頭與試樣距離、測試環境的溫度和濕度等因素的影響。因此，在進行測試時，需要控制測試條件并采取必要的修正措施，以保證測試結果的準確性。
GB/T 6616-2009標準提供了使用非接觸渦流法測試半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻的方法，對于評估半導體器件和材料的電性能具有重要意義。
硅薄膜薄層電阻是指硅薄膜在厚度小于1微米的薄膜材料中的電阻值。和硅片電阻率一樣，硅薄膜薄層電阻是衡量薄膜材料電性能的重要參數之一。
硅薄膜薄層電阻的測試方法有多種，其中包括四探針法、非接觸渦流法等。四探針法是一種常見的測試方法，它通過四個探針與硅薄膜接觸并施加電流，測量硅薄膜兩端的電壓，從而計算出硅薄膜的電阻值。非接觸渦流法是一種不接觸試樣的測試方法，它通過在試樣上方放置探頭并產生渦流磁場，在試樣上產生感應電流，從而測量試樣的電阻值。
需要注意的是，硅薄膜薄層電阻的測試結果受到多種因素的影響，如測試溫度、濕度、薄膜材料的厚度、晶向等。因此，在測試時需要控制測試條件并采取必要的修正措施，以保證測試結果的準確性。
硅薄膜薄層電阻在半導體器件和材料的研究和生產中具有重要意義。例如，通過改變薄膜材料的電阻值可以調節器件的電流和電壓特性，優化器件的性能和設計。因此，硅薄膜薄層電阻的測試對于半導體器件和材料的研發和生產具有重要意義。
