GB/T 11297.7-1989銻化銦單晶電阻率及霍耳系數的測試方法
發布時間： 2023-08-23 13:33:52 點擊： 920
GB/T 11297.7-1989銻化銦單晶電阻率及霍耳系數的測試方法
這是一個關于銻化銦單晶電阻率和霍耳系數的測試方法的標準。它規定了使用四探針法測量銻化銦單晶電阻率和霍耳系數的測試方法。
在四探針法中，使用四個探針按照直線排列，分別與材料接觸，然后通過電源向材料施加一定的電流，同時測量材料兩端的電壓。根據歐姆定律，可以計算出材料的電阻率。
四探針法只能測量材料的平均電阻率，無法測量材料的局部不均勻性和突變。此外，測試結果受到探針與材料接觸電阻、測試環境的溫度和濕度等因素的影響。因此，在進行測試時，需要控制測試條件并采取必要的修正措施，以保證測試結果的準確性。
銻化銦單晶電阻率為5.76 × 10^-4 Ω·m。
霍耳系數，又稱霍爾效應（Hall effect），是指當固體導體放置在一個磁場內，且有電流通過時，導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產生電壓（霍爾電壓）的現象。電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。通過霍爾電壓的極性，可證實導體內部的電流是由帶有負電荷的粒子（自由電子）之運動所造成。霍爾效應于1879年由埃德溫·赫伯特·霍爾（Edwin Herbert Hall）發現。除導體外，半導體也能產生霍爾效應，而且半導體的霍爾效應要強于導體。
